GaN / GaAs CVD SiC Mai Rufe Epitaxy Susceptor Carrier

Tsarin ginin yana da sauƙi. Muna amfani da babban graphite core mai yawan yawa, kuma muna haɓaka kauri mai kauri na β-SiC a saman ta hanyar CVD. Wannan yana ba ku damar sarrafa zafin da kuke so daga graphite, yayin da fatar SiC ke sarrafa sinadaran. NH₃, H₂, da duk wani abu da tsarin ya jefa shi - rufin yana nisantar da duk wannan daga graphite da ke ƙasa. Sakamakon shine ɓangaren da ke riƙe da GaN, GaAs, Micro-LED, RF, da kuma kayan aikin semiconductor masu ƙarfi.

Me ya sa suke aiki a zahiri?

A kan tsarki: muna da zaɓi game da kayan graphite. Ma'aunin isostatic da muke amfani da shi yana farawa da tsabta, kuma murfin CVD SiC yana ƙarewa da yawa. Gurɓatar ƙarfe tana da ƙasa sosai har ba kwa buƙatar damuwa game da gurɓatar ɗakin epitaxy mai tsafta sosai.

Halayyar zafi ma tana da muhimmanci. Muna ƙoƙari wajen daidaita yanayin zafi don wafer ɗin ya ga yanayin zafi iri ɗaya a saman sa. Yana aiki mai tsawo a babban zafin jiki, dumama da sanyaya da sauri - mai hana shi ya kasance mai daidaito a duk faɗin sa. Wannan daidaiton yana bayyana a cikin daidaiton kauri da kuma sarrafa tsari bayan gudu.

Wataƙila harin sinadarai shine babban abin damuwa a GaN MOCVD. Idan kun taɓa kallon ɓangaren graphite mara komai yana ɓacewa bayan wasu zagayawa, kun san abin da nake nufi. Rufin SiC yana canza wannan ƙarfin. Yana tsayayya da iskar gas ɗin da ake samarwa sosai, kuma saboda baya zubar da abu yayin da yake tsufa, kuna samun ƙarancin ƙwayoyin cuta suna shawagi a kusa da ɗakin. Ɗakin da ya fi tsabta, mafi kyawun amfani - shine kai tsaye.

A fannin injiniya, murfin yana mannewa. Mun yi aiki tukuru wajen mannewa, don haka ba za ka ji ƙura ko ɓarkewa ba ko da lokacin da ɓangaren ya ga girgizar zafi. Tsarin CVD mai yawa yana taimakawa da hakan. Masu amfani galibi suna ganin tsawon rai sau da yawa fiye da yadda za su samu daga graphite mara rufi, wanda ke nufin ƙarancin lokacin aiki don tsaftace ɗakin da canje-canjen sassa.

A ina za ku same su yawanci?

GaN MOCVD da HVPE — LEDs, na'urorin wutar lantarki, guntuwar RF, ƙananan LEDs. Yanayin aiki yana tsakanin 1000 °C zuwa 1100 °C, a daidai wurin da ya dace don wannan tsarin kayan.

GaAs MOCVD — VCSELs, na'urorin laser na sadarwa na gani, na'urori masu auna infrared, sassan RF. Bukatun zafi iri ɗaya, sinadarai daban-daban, buƙatu iri ɗaya don mai ɗaukar kaya mai tsabta, mai ɗorewa.

Kayan aikin semiconductor na gaba ɗaya masu zafin jiki — bayan kawai masu aikin reactors na epitaxy, suna bayyana a cikin haɗuwar masu ɗaukar wafer da sassan yankin zafi inda tsabta da kwanciyar hankali na zafi ke da mahimmanci.

Yadda muke kiyaye inganci daidai gwargwado

Za ka iya samun mafi kyawun graphite da mafi kyawun sinadaran rufewa, amma idan ba a yi amfani da tsarin ba, ɓangaren ba zai yi aiki ba. Muna zaɓar ma'aunin graphite bisa ga yanayin zafi, yawan aiki, da kwanciyar hankali na dogon lokaci. Sannan matakin CVD zai daidaita da kowane ƙira - musamman mahimmanci ga masu maye gurbin manyan diamita ko duk wani abu mai rikitarwa. Manufar ita ce har ma da rufewa da mannewa mai ƙarfi, babu sirara ko gefuna masu rauni.

Kowace rukuni tana bin diddigin abubuwa da dama: kauri na shafa, rashin kyawun saman, ma'auni mai mahimmanci, tsarki, da kuma ingancin shafa gaba ɗaya. Ba abin sha'awa ba ne, amma shine abin da ke sa ƙwayoyin cuta su yi ƙasa kuma yana ba ka damar sake yin aikinka ba tare da wani abin mamaki ba.

Me yasa za a yi amfani da shafi na SiC maimakon graphite mara komai?

A taƙaice: ana cin graphite mara launi. Graphite mai rufi da SiC ba ya cinsa. Musamman ma, za ku sami:

● Mafi kyawun juriya ga iskar gas mai lalata

● Ƙarancin samar da ƙwayoyin cuta a tsawon lokaci

● Tsawon rai mai amfani kafin maye gurbinsa

● Ƙarin yanayin tsari mai karko

● Yawan amfanin wafer mafi girma da daidaito

Haɗin ne ya dace - graphite yana motsa zafi, SiC kuma yana ɗaukar amfani da sinadarai. A cikin epitaxy na semiconductor compound, wannan ya zama mafita mafi dacewa saboda dalili.

gyare-gyare

Kusan ba ma gina irin wannan ɓangaren sau biyu ba. Yawancin abin da muke aikawa ana yin sa ne bisa ga zanen abokin ciniki ko kuma an daidaita shi da wani takamaiman samfurin reactor. Za mu iya daidaitawa:

● Girman Wafer da tsarin aljihu

● Lamba da tsarin aljihu

● Tsarin rami da ramukan da ke tafe

● Gabaɗaya kauri

● Bukatun gama saman saman

Samfuran samfura da yawan samarwa duk suna da kyau — za mu yi aiki tare da ku ko kuna buƙatar wasu sassan gwaji ko isar da kayayyaki akai-akai.

Tambayoyin da

Menene ainihin abin da mai hana ruwa mai rufi na SiC ke yi?

Yana riƙe wafers ɗin yayin girma na epitaxial, yana yaɗa zafi daidai gwargwado a saman wafer ɗin, kuma yana amfani da layin SiC don kare graphite daga iskar gas mai lalata.

Me yasa ba za a yi amfani da graphite wanda ba a rufe shi ba kawai?

Graphite mara rufi yana lalata iskar gas kamar ammonia da hydrogen mai zafi. Wannan yana samar da barbashi, yana rage tsawon rai, kuma yana cutar da yawan amfanin ƙasa. Rufin SiC yana magance duk waɗannan matsalolin guda uku.

Za ku iya gina waɗannan don nau'ikan reactor daban-daban?

Hakika. Muna tsara girma, tsare-tsare na aljihu, da kuma tsarin ramuka don dacewa da duk wani kayan aikin MOCVD ko HVPE da kuke gudanarwa.

Waɗanne matakai suka dace da su?

GaN LED, power, da RF epi; Micro-LED; VCSEL da GaAs epitaxy — duk inda kuke buƙatar mai ɗaukar kaya mai tsabta, mai karko a yanayin zafi mai yawa.